ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, используемым для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Фотовольтаическая однопереходная структура представляет собой двухслойный компонент p-n гетероперехода a-SiC/c-Si. Слой аморфного карбида кремния n-типа проводимости с толщиной пленки 6-20 нм нанесен на предварительно подготовленную поверхность монокристаллической кремниевой подложки p-типа проводимости путем нереактивного магнетронного распыления в аргоне из твердотельной мишени SiC. Верхний электрод выполнен в виде контактной гребенки из серебра или меди и расположен непосредственно на слое a-SiC. Нижний электрод из серебра или меди расположен на обратной стороне подложки из монокристаллического кремния. Фотовольтаическая структура с использованием полированной, неразвитой поверхности подложки из монокристаллического кремния и без применения концентраторов солнечного излучения демонстрирует эффективность 7,83%.

Дата регистрации охранного документа:	12.09.2014
№ охранного документа:	2532857
Автор(ы):	Захвалинский Василий Сергеевич (RU),, Пилюк Евгений Александрович (RU),, Шербан Дормидонт Архипович (MD),, Симашкевич Алексей Васильевич (MD),, Брук Леонид Измайлович (MD)
№ заявки:	2013113078
Дата приоритета:	22.03.2013
Описание изобретения:	Перейти
Подразделение БелГУ:	Кафедра общей и прикладной физики
Правообладатель:	ФГАОУ ВПО «Белгородский государственный национальный исследовательский университет»
Охранный документ:	Загрузить